n-well cmos process

См. также в других словарях:

• n-well CMOS process — jungtinių MOP darinių su n laidumo kišenėmis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n well CMOS process; n well CMOS technology vok. komplementäre n Wannen MOS Technik, f rus. КМОП технология с карманами n типа, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• n-well CMOS technology — jungtinių MOP darinių su n laidumo kišenėmis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n well CMOS process; n well CMOS technology vok. komplementäre n Wannen MOS Technik, f rus. КМОП технология с карманами n типа, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• CMOS — For other uses, see CMOS (disambiguation). CMOS inverter (NOT logic gate) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) (   …   Wikipedia

• technologie de circuit intégré CMOS à parois type n — jungtinių MOP darinių su n laidumo kišenėmis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n well CMOS process; n well CMOS technology vok. komplementäre n Wannen MOS Technik, f rus. КМОП технология с карманами n типа, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Process corners — In semiconductor manufacturing, a process corner is an example of a design of experiments (DoE) technique that refers to a variation of fabrication parameters used in applying an integrated circuit design to a semiconductor wafer. Process corners …   Wikipedia

• Semiconductor process simulation — is the modeling of the fabrication of semiconductor devices such as transistors. It is a branch of electronic design automation, and part of a sub field known as technology CAD, or TCAD. 400px|right|thumb|This figure shows a result from… …   Wikipedia

• jungtinių MOP darinių su n laidumo kišenėmis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n well CMOS process; n well CMOS technology vok. komplementäre n Wannen MOS Technik, f rus. КМОП технология с карманами n типа, f pranc. technologie de circuit intégré CMOS à parois type n, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• komplementäre n-Wannen-MOS-Technik — jungtinių MOP darinių su n laidumo kišenėmis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n well CMOS process; n well CMOS technology vok. komplementäre n Wannen MOS Technik, f rus. КМОП технология с карманами n типа, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• КМОП-технология с карманами n-типа — jungtinių MOP darinių su n laidumo kišenėmis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n well CMOS process; n well CMOS technology vok. komplementäre n Wannen MOS Technik, f rus. КМОП технология с карманами n типа, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Integrated circuit — Silicon chip redirects here. For the electronics magazine, see Silicon Chip. Integrated circuit from an EPROM memory microchip showing the memory blocks, the supporting circuitry and the fine silver wires which connect the integrated circuit die… …   Wikipedia

• Active pixel sensor — An active pixel sensor (APS) is an image sensor consisting of an integrated circuit containing an array of pixel sensors, each pixel containing a photodetector and an active amplifier. There are many types of active pixel sensors including the… …   Wikipedia